Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

IRF6713STR1PBF
Infineon Technologies

IRF6713STR1PBF

جزء الأسهم: 609

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 22A (Ta), 95A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 22A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP80N06S205AKSA1
Infineon Technologies

IPP80N06S205AKSA1

جزء الأسهم: 792

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.1 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFSL4115PBF
Infineon Technologies

IRFSL4115PBF

جزء الأسهم: 861

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 195A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12.1 mOhm @ 62A, 10V,

قائمة الرغبات
SN7002W L6327
Infineon Technologies

SN7002W L6327

جزء الأسهم: 839

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 230mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 230mA, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR3910TRPBF
Infineon Technologies

IRFR3910TRPBF

جزء الأسهم: 188719

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 115 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
IPU103N08N3 G
Infineon Technologies

IPU103N08N3 G

جزء الأسهم: 813

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.3 mOhm @ 46A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFP4368PBF
Infineon Technologies

IRFP4368PBF

جزء الأسهم: 9954

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 195A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.85 mOhm @ 195A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB34CN10NGATMA1
Infineon Technologies

IPB34CN10NGATMA1

جزء الأسهم: 809

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 27A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 34 mOhm @ 27A, 10V,

قائمة الرغبات
IPD160N04LGBTMA1
Infineon Technologies

IPD160N04LGBTMA1

جزء الأسهم: 818

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFS4010-7PPBF
Infineon Technologies

IRFS4010-7PPBF

جزء الأسهم: 629

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 190A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 110A, 10V,

قائمة الرغبات
IPD50R520CP
Infineon Technologies

IPD50R520CP

جزء الأسهم: 6089

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 550V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.1A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFS5620TRLPBF
Infineon Technologies

IRFS5620TRLPBF

جزء الأسهم: 640

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 77.5 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF7450TRPBF
Infineon Technologies

IRF7450TRPBF

جزء الأسهم: 105126

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB100N06S205ATMA1
Infineon Technologies

IPB100N06S205ATMA1

جزء الأسهم: 804

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFH7914TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH7914TR2PBF

جزء الأسهم: 834

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.7 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB80N06S2H5ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S2H5ATMA1

جزء الأسهم: 808

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFH5053TRPBF
Infineon Technologies

IRFH5053TRPBF

جزء الأسهم: 87092

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.3A (Ta), 46A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 9.3A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF6729MTR1PBF
Infineon Technologies

IRF6729MTR1PBF

جزء الأسهم: 821

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 31A (Ta), 190A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.8 mOhm @ 31A, 10V,

قائمة الرغبات
IPI80N04S204AKSA1
Infineon Technologies

IPI80N04S204AKSA1

جزء الأسهم: 840

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.7 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
IPI80N06S2L05AKSA1
Infineon Technologies

IPI80N06S2L05AKSA1

جزء الأسهم: 750

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.8 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB80N06S209ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S209ATMA1

جزء الأسهم: 6080

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.8 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات
SPP15N60CFDHKSA1
Infineon Technologies

SPP15N60CFDHKSA1

جزء الأسهم: 768

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 330 mOhm @ 9.4A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF40R207
Infineon Technologies

IRF40R207

جزء الأسهم: 112715

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 56A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.1 mOhm @ 55A, 10V,

قائمة الرغبات
IPD068N10N3GBTMA1
Infineon Technologies

IPD068N10N3GBTMA1

جزء الأسهم: 759

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.8 mOhm @ 90A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFHS8342TRPBF
Infineon Technologies

IRFHS8342TRPBF

جزء الأسهم: 198501

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.8A (Ta), 19A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 8.5A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR15N20DTRPBF
Infineon Technologies

IRFR15N20DTRPBF

جزء الأسهم: 131500

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 165 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLR8256TRPBF
Infineon Technologies

IRLR8256TRPBF

جزء الأسهم: 172098

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 81A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.7 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFSL3004PBF
Infineon Technologies

IRFSL3004PBF

جزء الأسهم: 869

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 195A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.75 mOhm @ 195A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB60R250CPATMA1
Infineon Technologies

IPB60R250CPATMA1

جزء الأسهم: 785

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB80N06S2L09ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S2L09ATMA1

جزء الأسهم: 6112

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.2 mOhm @ 52A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFU4620PBF
Infineon Technologies

IRFU4620PBF

جزء الأسهم: 6147

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 78 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB12CN10N G
Infineon Technologies

IPB12CN10N G

جزء الأسهم: 756

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 67A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12.6 mOhm @ 67A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF7201TRPBF
Infineon Technologies

IRF7201TRPBF

جزء الأسهم: 109705

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 7.3A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP80N06S208AKSA1
Infineon Technologies

IPP80N06S208AKSA1

جزء الأسهم: 809

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 58A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLH7134TRPBF
Infineon Technologies

IRLH7134TRPBF

جزء الأسهم: 103354

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 26A (Ta), 85A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF7809AVTRPBF
Infineon Technologies

IRF7809AVTRPBF

جزء الأسهم: 163838

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 15A, 4.5V,

قائمة الرغبات