Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

IPI075N15N3GHKSA1
Infineon Technologies

IPI075N15N3GHKSA1

جزء الأسهم: 763

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
SPI15N65C3XKSA1
Infineon Technologies

SPI15N65C3XKSA1

جزء الأسهم: 32225

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 9.4A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF7704GTRPBF
Infineon Technologies

IRF7704GTRPBF

جزء الأسهم: 624

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 46 mOhm @ 4.6A, 10V,

قائمة الرغبات
IPS50R520CP
Infineon Technologies

IPS50R520CP

جزء الأسهم: 787

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 550V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.1A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF8707GPBF
Infineon Technologies

IRF8707GPBF

جزء الأسهم: 896

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11.9 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
IPI60R250CPAKSA1
Infineon Technologies

IPI60R250CPAKSA1

جزء الأسهم: 797

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFS4115-7PPBF
Infineon Technologies

IRFS4115-7PPBF

جزء الأسهم: 836

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 105A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11.8 mOhm @ 63A, 10V,

قائمة الرغبات
IPI100N04S303AKSA1
Infineon Technologies

IPI100N04S303AKSA1

جزء الأسهم: 775

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.8 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
IPI06CN10N G
Infineon Technologies

IPI06CN10N G

جزء الأسهم: 755

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB05CN10N G
Infineon Technologies

IPB05CN10N G

جزء الأسهم: 765

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.1 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP80N06S2LH5AKSA1
Infineon Technologies

IPP80N06S2LH5AKSA1

جزء الأسهم: 831

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
IPI024N06N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPI024N06N3GXKSA1

جزء الأسهم: 23226

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB80N06S2L07ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S2L07ATMA1

جزء الأسهم: 765

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.7 mOhm @ 60A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB80N06S205ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S205ATMA1

جزء الأسهم: 822

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.8 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
IPW50R350CPFKSA1
Infineon Technologies

IPW50R350CPFKSA1

جزء الأسهم: 34124

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 550V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 350 mOhm @ 5.6A, 10V,

قائمة الرغبات
IPI90R800C3XKSA1
Infineon Technologies

IPI90R800C3XKSA1

جزء الأسهم: 59550

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 900V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 4.1A, 10V,

قائمة الرغبات
IPI35CN10N G
Infineon Technologies

IPI35CN10N G

جزء الأسهم: 781

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 27A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 27A, 10V,

قائمة الرغبات
IPD170N04NGBTMA1
Infineon Technologies

IPD170N04NGBTMA1

جزء الأسهم: 788

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
IPI070N06N G
Infineon Technologies

IPI070N06N G

جزء الأسهم: 795

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFH7936TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH7936TR2PBF

جزء الأسهم: 832

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Ta), 54A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP50R250CPHKSA1
Infineon Technologies

IPP50R250CPHKSA1

جزء الأسهم: 788

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB160N04S2L03ATMA1
Infineon Technologies

IPB160N04S2L03ATMA1

جزء الأسهم: 800

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 160A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
IPU78CN10N G
Infineon Technologies

IPU78CN10N G

جزء الأسهم: 824

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 78 mOhm @ 13A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP80N06S207AKSA1
Infineon Technologies

IPP80N06S207AKSA1

جزء الأسهم: 805

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.6 mOhm @ 68A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFS3107-7PPBF
Infineon Technologies

IRFS3107-7PPBF

جزء الأسهم: 9551

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 240A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.6 mOhm @ 160A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR3707ZTRPBF
Infineon Technologies

IRFR3707ZTRPBF

جزء الأسهم: 178734

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 56A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP22N03S4L15AKSA1
Infineon Technologies

IPP22N03S4L15AKSA1

جزء الأسهم: 6103

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 22A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14.9 mOhm @ 22A, 10V,

قائمة الرغبات
IPI50CN10NGHKSA1
Infineon Technologies

IPI50CN10NGHKSA1

جزء الأسهم: 763

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
IPI12CNE8N G
Infineon Technologies

IPI12CNE8N G

جزء الأسهم: 834

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 85V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 67A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12.6 mOhm @ 67A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP80N04S204AKSA1
Infineon Technologies

IPP80N04S204AKSA1

جزء الأسهم: 844

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.7 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB80N06S207ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S207ATMA1

جزء الأسهم: 6100

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.3 mOhm @ 68A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB80N06S2L11ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S2L11ATMA1

جزء الأسهم: 815

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.7 mOhm @ 60A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFSL5620PBF
Infineon Technologies

IRFSL5620PBF

جزء الأسهم: 702

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 77.5 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR4620PBF
Infineon Technologies

IRFR4620PBF

جزء الأسهم: 41008

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 78 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR3411TRPBF
Infineon Technologies

IRFR3411TRPBF

جزء الأسهم: 111662

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 32A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 44 mOhm @ 16A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB80N06S2L-H5
Infineon Technologies

IPB80N06S2L-H5

جزء الأسهم: 6126

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات