Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

IPB022N04LGATMA1
Infineon Technologies

IPB022N04LGATMA1

جزء الأسهم: 1386

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.2 mOhm @ 90A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLR2905TRLPBF
Infineon Technologies

IRLR2905TRLPBF

جزء الأسهم: 165150

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 42A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFU3607PBF
Infineon Technologies

IRFU3607PBF

جزء الأسهم: 40268

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 56A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 46A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF6898MTR1PBF
Infineon Technologies

IRF6898MTR1PBF

جزء الأسهم: 1392

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Ta), 213A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.1 mOhm @ 35A, 10V,

قائمة الرغبات
IPI50R299CPXKSA1
Infineon Technologies

IPI50R299CPXKSA1

جزء الأسهم: 30953

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 299 mOhm @ 6.6A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFI540NPBF
Infineon Technologies

IRFI540NPBF

جزء الأسهم: 41424

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 52 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF6894MTR1PBF
Infineon Technologies

IRF6894MTR1PBF

جزء الأسهم: 1349

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 32A (Ta), 160A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.3 mOhm @ 33A, 10V,

قائمة الرغبات
IPD60R520CPBTMA1
Infineon Technologies

IPD60R520CPBTMA1

جزء الأسهم: 1477

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

قائمة الرغبات
IPW65R660CFDFKSA1
Infineon Technologies

IPW65R660CFDFKSA1

جزء الأسهم: 42282

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 700V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 660 mOhm @ 2.1A, 10V,

قائمة الرغبات
IPI65R420CFDXKSA1
Infineon Technologies

IPI65R420CFDXKSA1

جزء الأسهم: 64557

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 420 mOhm @ 3.4A, 10V,

قائمة الرغبات
IPN70R750P7SATMA1
Infineon Technologies

IPN70R750P7SATMA1

جزء الأسهم: 9964

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 700V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 750 mOhm @ 1.4A, 10V,

قائمة الرغبات
IPI80N04S4L04AKSA1
Infineon Technologies

IPI80N04S4L04AKSA1

جزء الأسهم: 96724

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.3 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB052N04NGATMA1
Infineon Technologies

IPB052N04NGATMA1

جزء الأسهم: 1431

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 70A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 70A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFB7530PBF
Infineon Technologies

IRFB7530PBF

جزء الأسهم: 22543

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 195A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
IPD250N06N3GBTMA1
Infineon Technologies

IPD250N06N3GBTMA1

جزء الأسهم: 1440

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 28A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 28A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB023N04NGATMA1
Infineon Technologies

IPB023N04NGATMA1

جزء الأسهم: 6170

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.3 mOhm @ 90A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB110N20N3LFATMA1
Infineon Technologies

IPB110N20N3LFATMA1

جزء الأسهم: 18377

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 88A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 88A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLH7134TR2PBF
Infineon Technologies

IRLH7134TR2PBF

جزء الأسهم: 1435

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 26A (Ta), 85A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFB7540PBF
Infineon Technologies

IRFB7540PBF

جزء الأسهم: 42181

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 110A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.1 mOhm @ 65A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB260N06N3GATMA1
Infineon Technologies

IPB260N06N3GATMA1

جزء الأسهم: 1437

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 27A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25.7 mOhm @ 27A, 10V,

قائمة الرغبات
IPD068P03L3GBTMA1
Infineon Technologies

IPD068P03L3GBTMA1

جزء الأسهم: 1389

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 70A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.8 mOhm @ 70A, 10V,

قائمة الرغبات
IPA65R600C6XKSA1
Infineon Technologies

IPA65R600C6XKSA1

جزء الأسهم: 76264

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR48ZTRLPBF
Infineon Technologies

IRFR48ZTRLPBF

جزء الأسهم: 132108

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 42A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 37A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP65R380C6XKSA1
Infineon Technologies

IPP65R380C6XKSA1

جزء الأسهم: 59867

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 10V,

قائمة الرغبات
IPD60R520C6BTMA1
Infineon Technologies

IPD60R520C6BTMA1

جزء الأسهم: 1417

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.1A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 520 mOhm @ 2.8A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB093N04LGATMA1
Infineon Technologies

IPB093N04LGATMA1

جزء الأسهم: 1417

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.3 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات
IPI50R250CPXKSA1
Infineon Technologies

IPI50R250CPXKSA1

جزء الأسهم: 48805

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB65R280C6ATMA1
Infineon Technologies

IPB65R280C6ATMA1

جزء الأسهم: 56772

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 4.4A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB65R190C6ATMA1
Infineon Technologies

IPB65R190C6ATMA1

جزء الأسهم: 45430

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB020N08N5ATMA1
Infineon Technologies

IPB020N08N5ATMA1

جزء الأسهم: 33910

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP100N04S4H2AKSA1
Infineon Technologies

IPP100N04S4H2AKSA1

جزء الأسهم: 80220

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.7 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB60R520CPATMA1
Infineon Technologies

IPB60R520CPATMA1

جزء الأسهم: 6152

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

قائمة الرغبات
IPN95R3K7P7ATMA1
Infineon Technologies

IPN95R3K7P7ATMA1

جزء الأسهم: 9929

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 950V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.7 Ohm @ 800mA, 10V,

قائمة الرغبات
IPB097N08N3 G
Infineon Technologies

IPB097N08N3 G

جزء الأسهم: 1439

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 70A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.7 mOhm @ 46A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFSL4410ZPBF
Infineon Technologies

IRFSL4410ZPBF

جزء الأسهم: 23253

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 97A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 58A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB65R420CFDATMA1
Infineon Technologies

IPB65R420CFDATMA1

جزء الأسهم: 1398

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 420 mOhm @ 3.4A, 10V,

قائمة الرغبات