Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

IPW65R280C6FKSA1
Infineon Technologies

IPW65R280C6FKSA1

جزء الأسهم: 30026

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 4.4A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP65R660CFDXKSA1
Infineon Technologies

IPP65R660CFDXKSA1

جزء الأسهم: 71639

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 660 mOhm @ 2.1A, 10V,

قائمة الرغبات
SN7002NH6327XTSA1
Infineon Technologies

SN7002NH6327XTSA1

جزء الأسهم: 1468

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IPD122N10N3GBTMA1
Infineon Technologies

IPD122N10N3GBTMA1

جزء الأسهم: 1414

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 59A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12.2 mOhm @ 46A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB65R600C6ATMA1
Infineon Technologies

IPB65R600C6ATMA1

جزء الأسهم: 96627

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

قائمة الرغبات
IPL60R210P6AUMA1
Infineon Technologies

IPL60R210P6AUMA1

جزء الأسهم: 57470

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 19.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 210 mOhm @ 7.6A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB039N04LGATMA1
Infineon Technologies

IPB039N04LGATMA1

جزء الأسهم: 1437

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.9 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
IPN50R1K4CEATMA1
Infineon Technologies

IPN50R1K4CEATMA1

جزء الأسهم: 181536

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 13V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 900mA, 13V,

قائمة الرغبات
IPW65R190C6FKSA1
Infineon Technologies

IPW65R190C6FKSA1

جزء الأسهم: 24551

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP90N04S402AKSA1
Infineon Technologies

IPP90N04S402AKSA1

جزء الأسهم: 1192

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.5 mOhm @ 90A, 10V,

قائمة الرغبات
IPW65R310CFDFKSA1
Infineon Technologies

IPW65R310CFDFKSA1

جزء الأسهم: 32469

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 310 mOhm @ 4.4A, 10V,

قائمة الرغبات
IPN50R3K0CEATMA1
Infineon Technologies

IPN50R3K0CEATMA1

جزء الأسهم: 109700

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 13V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 400mA, 13V,

قائمة الرغبات
IRFH7107TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH7107TR2PBF

جزء الأسهم: 1447

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.5 mOhm @ 45A, 10V,

قائمة الرغبات
IPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies

IPN70R600P7SATMA1

جزء الأسهم: 130801

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 700V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 1.8A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR4620TRLPBF
Infineon Technologies

IRFR4620TRLPBF

جزء الأسهم: 102980

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 78 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
IPD530N15N3GBTMA1
Infineon Technologies

IPD530N15N3GBTMA1

جزء الأسهم: 1479

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 53 mOhm @ 18A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLML6244TRPBF
Infineon Technologies

IRLML6244TRPBF

جزء الأسهم: 104946

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 6.3A, 4.5V,

قائمة الرغبات
IPB072N15N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies

IPB072N15N3GE8187ATMA1

جزء الأسهم: 1460

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.2 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB65R660CFDATMA1
Infineon Technologies

IPB65R660CFDATMA1

جزء الأسهم: 6165

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 660 mOhm @ 2.1A, 10V,

قائمة الرغبات
IPN80R750P7ATMA1
Infineon Technologies

IPN80R750P7ATMA1

جزء الأسهم: 9916

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 750 mOhm @ 2.7A, 10V,

قائمة الرغبات
IPD038N04NGBTMA1
Infineon Technologies

IPD038N04NGBTMA1

جزء الأسهم: 1444

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.8 mOhm @ 90A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB230N06L3GATMA1
Infineon Technologies

IPB230N06L3GATMA1

جزء الأسهم: 1420

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
IRL2910PBF
Infineon Technologies

IRL2910PBF

جزء الأسهم: 30729

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 55A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 29A, 10V,

قائمة الرغبات
IPI65R600C6XKSA1
Infineon Technologies

IPI65R600C6XKSA1

جزء الأسهم: 76220

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

قائمة الرغبات
IPN70R2K0P7SATMA1
Infineon Technologies

IPN70R2K0P7SATMA1

جزء الأسهم: 9932

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 700V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
IPP120N04S402AKSA1
Infineon Technologies

IPP120N04S402AKSA1

جزء الأسهم: 1208

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.1 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
IPP65R280C6XKSA1
Infineon Technologies

IPP65R280C6XKSA1

جزء الأسهم: 48437

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 4.4A, 10V,

قائمة الرغبات
IPI65R110CFDXKSA1
Infineon Technologies

IPI65R110CFDXKSA1

جزء الأسهم: 19795

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 31.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 12.7A, 10V,

قائمة الرغبات
IPL60R085P7AUMA1
Infineon Technologies

IPL60R085P7AUMA1

جزء الأسهم: 9982

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 39A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 85 mOhm @ 11.8A, 10V,

قائمة الرغبات
IPN80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies

IPN80R2K4P7ATMA1

جزء الأسهم: 9955

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.4 Ohm @ 800mA, 10V,

قائمة الرغبات
IPB60R950C6ATMA1
Infineon Technologies

IPB60R950C6ATMA1

جزء الأسهم: 1419

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 950 mOhm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB009N03LGATMA1
Infineon Technologies

IPB009N03LGATMA1

جزء الأسهم: 9903

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 180A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 0.95 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
IPD90R1K2C3BTMA1
Infineon Technologies

IPD90R1K2C3BTMA1

جزء الأسهم: 1460

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 900V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.1A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFI4410ZGPBF
Infineon Technologies

IRFI4410ZGPBF

جزء الأسهم: 1390

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 43A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.3 mOhm @ 26A, 10V,

قائمة الرغبات
IPB65R380C6ATMA1
Infineon Technologies

IPB65R380C6ATMA1

جزء الأسهم: 70807

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 10V,

قائمة الرغبات
IPD65R380E6BTMA1
Infineon Technologies

IPD65R380E6BTMA1

جزء الأسهم: 93019

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 10V,

قائمة الرغبات