Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

1N3213R
GeneSiC Semiconductor

1N3213R

جزء الأسهم: 9594

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 500V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 15A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N5834R
GeneSiC Semiconductor

1N5834R

جزء الأسهم: 5649

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 590mV @ 40A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3297A
GeneSiC Semiconductor

1N3297A

جزء الأسهم: 3391

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 100A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3768
GeneSiC Semiconductor

1N3768

جزء الأسهم: 9899

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 35A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3211R
GeneSiC Semiconductor

1N3211R

جزء الأسهم: 13605

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 15A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N1188AR
GeneSiC Semiconductor

1N1188AR

جزء الأسهم: 14724

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 40A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N1186R
GeneSiC Semiconductor

1N1186R

جزء الأسهم: 14976

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 35A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3293A
GeneSiC Semiconductor

1N3293A

جزء الأسهم: 3421

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 100A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N1187R
GeneSiC Semiconductor

1N1187R

جزء الأسهم: 11210

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 35A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3766
GeneSiC Semiconductor

1N3766

جزء الأسهم: 9596

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 35A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N2133AR
GeneSiC Semiconductor

1N2133AR

جزء الأسهم: 9580

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 60A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3671AR
GeneSiC Semiconductor

1N3671AR

جزء الأسهم: 14489

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 12A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N5832
GeneSiC Semiconductor

1N5832

جزء الأسهم: 5575

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 520mV @ 40A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3208R
GeneSiC Semiconductor

1N3208R

جزء الأسهم: 15260

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 15A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
150K100A
GeneSiC Semiconductor

150K100A

جزء الأسهم: 3461

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.33V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N1183R
GeneSiC Semiconductor

1N1183R

جزء الأسهم: 15035

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 35A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N1202AR
GeneSiC Semiconductor

1N1202AR

جزء الأسهم: 15978

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 12A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N2133A
GeneSiC Semiconductor

1N2133A

جزء الأسهم: 9591

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 60A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N5828
GeneSiC Semiconductor

1N5828

جزء الأسهم: 5643

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N4595
GeneSiC Semiconductor

1N4595

جزء الأسهم: 3450

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N4592R
GeneSiC Semiconductor

1N4592R

جزء الأسهم: 3417

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N1190R
GeneSiC Semiconductor

1N1190R

جزء الأسهم: 16753

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 35A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N8030-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8030-GA

جزء الأسهم: 464

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 750mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.39V @ 750mA, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
1N8024-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8024-GA

جزء الأسهم: 457

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 750mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.74V @ 750mA, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
1N6095R
GeneSiC Semiconductor

1N6095R

جزء الأسهم: 4316

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 25A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N1184A
GeneSiC Semiconductor

1N1184A

جزء الأسهم: 11180

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 40A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3673AR
GeneSiC Semiconductor

1N3673AR

جزء الأسهم: 12882

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 12A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N1186AR
GeneSiC Semiconductor

1N1186AR

جزء الأسهم: 10488

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 40A,

قائمة الرغبات
150KR60A
GeneSiC Semiconductor

150KR60A

جزء الأسهم: 2965

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.33V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N1206AR
GeneSiC Semiconductor

1N1206AR

جزء الأسهم: 17397

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 12A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N1184
GeneSiC Semiconductor

1N1184

جزء الأسهم: 7472

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 35A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3210
GeneSiC Semiconductor

1N3210

جزء الأسهم: 11001

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 15A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3214
GeneSiC Semiconductor

1N3214

جزء الأسهم: 12725

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 15A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3891
GeneSiC Semiconductor

1N3891

جزء الأسهم: 11106

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
1N4595R
GeneSiC Semiconductor

1N4595R

جزء الأسهم: 2917

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N6098
GeneSiC Semiconductor

1N6098

جزء الأسهم: 4336

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 50A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 50A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات