Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

1N1184AR
GeneSiC Semiconductor

1N1184AR

جزء الأسهم: 15082

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 40A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3295A
GeneSiC Semiconductor

1N3295A

جزء الأسهم: 3423

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 100A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N1189R
GeneSiC Semiconductor

1N1189R

جزء الأسهم: 63

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 35A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N6095
GeneSiC Semiconductor

1N6095

جزء الأسهم: 5630

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 25A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N4588R
GeneSiC Semiconductor

1N4588R

جزء الأسهم: 3431

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3882R
GeneSiC Semiconductor

1N3882R

جزء الأسهم: 13616

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
1N3296AR
GeneSiC Semiconductor

1N3296AR

جزء الأسهم: 3451

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 100A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N2129A
GeneSiC Semiconductor

1N2129A

جزء الأسهم: 10804

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 60A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N6097
GeneSiC Semiconductor

1N6097

جزء الأسهم: 5607

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 50A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 50A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3212
GeneSiC Semiconductor

1N3212

جزء الأسهم: 14924

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 15A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3765R
GeneSiC Semiconductor

1N3765R

جزء الأسهم: 9630

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 700V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 35A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N1190
GeneSiC Semiconductor

1N1190

جزء الأسهم: 10824

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 35A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3766R
GeneSiC Semiconductor

1N3766R

جزء الأسهم: 9633

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 35A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N5833R
GeneSiC Semiconductor

1N5833R

جزء الأسهم: 5570

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 40A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N1186
GeneSiC Semiconductor

1N1186

جزء الأسهم: 13872

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 35A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N4588
GeneSiC Semiconductor

1N4588

جزء الأسهم: 3389

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3671A
GeneSiC Semiconductor

1N3671A

جزء الأسهم: 13788

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 12A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3890
GeneSiC Semiconductor

1N3890

جزء الأسهم: 15975

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
1N5832R
GeneSiC Semiconductor

1N5832R

جزء الأسهم: 5637

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 520mV @ 40A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
150KR20A
GeneSiC Semiconductor

150KR20A

جزء الأسهم: 3465

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.33V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3210R
GeneSiC Semiconductor

1N3210R

جزء الأسهم: 14992

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 15A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N1189
GeneSiC Semiconductor

1N1189

جزء الأسهم: 11471

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 35A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3296A
GeneSiC Semiconductor

1N3296A

جزء الأسهم: 3452

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 100A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N6096R
GeneSiC Semiconductor

1N6096R

جزء الأسهم: 5597

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 25A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N5826
GeneSiC Semiconductor

1N5826

جزء الأسهم: 5569

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 440mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N5826R
GeneSiC Semiconductor

1N5826R

جزء الأسهم: 5576

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 440mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N1187
GeneSiC Semiconductor

1N1187

جزء الأسهم: 14520

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 35A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N5827R
GeneSiC Semiconductor

1N5827R

جزء الأسهم: 5573

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 470mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3289AR
GeneSiC Semiconductor

1N3289AR

جزء الأسهم: 3442

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 100A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3208
GeneSiC Semiconductor

1N3208

جزء الأسهم: 10062

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 15A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N4593R
GeneSiC Semiconductor

1N4593R

جزء الأسهم: 3446

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N5833
GeneSiC Semiconductor

1N5833

جزء الأسهم: 5595

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 40A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3212R
GeneSiC Semiconductor

1N3212R

جزء الأسهم: 13593

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 15A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N8032-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8032-GA

جزء الأسهم: 411

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 2.5A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
1N3765
GeneSiC Semiconductor

1N3765

جزء الأسهم: 9603

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 700V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 35A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N2130A
GeneSiC Semiconductor

1N2130A

جزء الأسهم: 13757

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 60A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات