Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

BS107PSTOB
Diodes Incorporated

BS107PSTOB

جزء الأسهم: 9842

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.6V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
BS170FTC
Diodes Incorporated

BS170FTC

جزء الأسهم: 9815

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 150µA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

قائمة الرغبات
BS107PSTOA
Diodes Incorporated

BS107PSTOA

جزء الأسهم: 9830

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.6V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
BSS127SSN-7
Diodes Incorporated

BSS127SSN-7

جزء الأسهم: 139832

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 160 Ohm @ 16mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS123ATA
Diodes Incorporated

BSS123ATA

جزء الأسهم: 9563

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 170mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS123W-7
Diodes Incorporated

BSS123W-7

جزء الأسهم: 9261

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 170mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS123-7
Diodes Incorporated

BSS123-7

جزء الأسهم: 9289

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 170mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS84W-7
Diodes Incorporated

BSS84W-7

جزء الأسهم: 5967

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 130mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
BSS138W-7
Diodes Incorporated

BSS138W-7

جزء الأسهم: 9210

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS84-7
Diodes Incorporated

BSS84-7

جزء الأسهم: 5966

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 130mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
BSS138-7
Diodes Incorporated

BSS138-7

جزء الأسهم: 9161

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

قائمة الرغبات
BS870-7
Diodes Incorporated

BS870-7

جزء الأسهم: 9148

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 250mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS138TA
Diodes Incorporated

BSS138TA

جزء الأسهم: 178827

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS84TA
Diodes Incorporated

BSS84TA

جزء الأسهم: 8844

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 130mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
BS170FTA
Diodes Incorporated

BS170FTA

جزء الأسهم: 141023

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 150µA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

قائمة الرغبات
BS250FTA
Diodes Incorporated

BS250FTA

جزء الأسهم: 165036

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 45V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

قائمة الرغبات
BS250P
Diodes Incorporated

BS250P

جزء الأسهم: 76312

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 45V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 230mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

قائمة الرغبات
BS870-7-F
Diodes Incorporated

BS870-7-F

جزء الأسهم: 145986

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 250mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

قائمة الرغبات
BS107P
Diodes Incorporated

BS107P

جزء الأسهم: 111049

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.6V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
BSS123-7-F
Diodes Incorporated

BSS123-7-F

جزء الأسهم: 194929

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 170mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS127S-7
Diodes Incorporated

BSS127S-7

جزء الأسهم: 145342

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 160 Ohm @ 16mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS123W-7-F
Diodes Incorporated

BSS123W-7-F

جزء الأسهم: 104941

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 170mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS123TA
Diodes Incorporated

BSS123TA

جزء الأسهم: 164889

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 170mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS123WQ-7-F
Diodes Incorporated

BSS123WQ-7-F

جزء الأسهم: 128372

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 170mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSN20-7
Diodes Incorporated

BSN20-7

جزء الأسهم: 154699

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 500mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.8 Ohm @ 220mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS138W-7-F
Diodes Incorporated

BSS138W-7-F

جزء الأسهم: 179213

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS84W-7-F
Diodes Incorporated

BSS84W-7-F

جزء الأسهم: 141466

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 130mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
BSS84-7-F
Diodes Incorporated

BSS84-7-F

جزء الأسهم: 115052

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 130mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
BSS138-7-F
Diodes Incorporated

BSS138-7-F

جزء الأسهم: 190529

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

قائمة الرغبات
DMP1096UCB4-7
Diodes Incorporated

DMP1096UCB4-7

جزء الأسهم: 195132

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 102 mOhm @ 500mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMTH6004SCTBQ-13
Diodes Incorporated

DMTH6004SCTBQ-13

جزء الأسهم: 44412

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.4 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات
DMG4N65CT
Diodes Incorporated

DMG4N65CT

جزء الأسهم: 59554

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN2058UW-7
Diodes Incorporated

DMN2058UW-7

جزء الأسهم: 101

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات
DMN1053UCP4-7
Diodes Incorporated

DMN1053UCP4-7

جزء الأسهم: 118

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 1A, 4.5V,

قائمة الرغبات
DMN1017UCP3-7
Diodes Incorporated

DMN1017UCP3-7

جزء الأسهم: 198308

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 3.3V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 5A, 3.3V,

قائمة الرغبات
DMJ70H1D3SH3
Diodes Incorporated

DMJ70H1D3SH3

جزء الأسهم: 61608

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 700V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V,

قائمة الرغبات