Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

2N7002TQ-7-F
Diodes Incorporated

2N7002TQ-7-F

جزء الأسهم: 123934

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 115mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13.5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
2N7002AQ-13
Diodes Incorporated

2N7002AQ-13

جزء الأسهم: 124993

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 180mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 115mA, 10V,

قائمة الرغبات
2N7002H-13
Diodes Incorporated

2N7002H-13

جزء الأسهم: 145205

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 170mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

قائمة الرغبات
2N7002WKX-7
Diodes Incorporated

2N7002WKX-7

جزء الأسهم: 2391

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 115mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

قائمة الرغبات
2N7002WKX-13
Diodes Incorporated

2N7002WKX-13

جزء الأسهم: 2390

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 115mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

قائمة الرغبات
2N7002H-7
Diodes Incorporated

2N7002H-7

جزء الأسهم: 168572

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 170mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

قائمة الرغبات
2N7002TC
Diodes Incorporated

2N7002TC

جزء الأسهم: 9841

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 115mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
2N7002AQ-7
Diodes Incorporated

2N7002AQ-7

جزء الأسهم: 104068

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 180mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 115mA, 10V,

قائمة الرغبات
2N7002T-7
Diodes Incorporated

2N7002T-7

جزء الأسهم: 9281

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 115mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

قائمة الرغبات
2N7002W-7
Diodes Incorporated

2N7002W-7

جزء الأسهم: 8910

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 115mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

قائمة الرغبات
2N7002-7
Diodes Incorporated

2N7002-7

جزء الأسهم: 8915

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 115mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

قائمة الرغبات
2N7002TA
Diodes Incorporated

2N7002TA

جزء الأسهم: 8894

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 115mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
2N7002E-7-F
Diodes Incorporated

2N7002E-7-F

جزء الأسهم: 151296

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 250mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 250mA, 10V,

قائمة الرغبات
2N7002W-7-F
Diodes Incorporated

2N7002W-7-F

جزء الأسهم: 152407

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 115mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

قائمة الرغبات
2N7002A-7
Diodes Incorporated

2N7002A-7

جزء الأسهم: 162377

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 180mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 115mA, 5V,

قائمة الرغبات
2N7002T-7-F
Diodes Incorporated

2N7002T-7-F

جزء الأسهم: 151684

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 115mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

قائمة الرغبات
2N7002-7-F
Diodes Incorporated

2N7002-7-F

جزء الأسهم: 150809

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 115mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

قائمة الرغبات
2N7002K-7
Diodes Incorporated

2N7002K-7

جزء الأسهم: 148092

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 380mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSP75GQTC
Diodes Incorporated

BSP75GQTC

جزء الأسهم: 128

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 700mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS84WQ-7-F
Diodes Incorporated

BSS84WQ-7-F

جزء الأسهم: 189691

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 130mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
BSS138K-13
Diodes Incorporated

BSS138K-13

جزء الأسهم: 222

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 310mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

قائمة الرغبات
BS870Q-7-F
Diodes Incorporated

BS870Q-7-F

جزء الأسهم: 167

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 250mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS138Q-7-F
Diodes Incorporated

BSS138Q-7-F

جزء الأسهم: 158861

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSP75GQTA
Diodes Incorporated

BSP75GQTA

جزء الأسهم: 257

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 700mA, 10V,

قائمة الرغبات
BS107PSTZ
Diodes Incorporated

BS107PSTZ

جزء الأسهم: 8684

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.6V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
BS170PSTOB
Diodes Incorporated

BS170PSTOB

جزء الأسهم: 1924

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 270mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

قائمة الرغبات
BS250FTC
Diodes Incorporated

BS250FTC

جزء الأسهم: 1584

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 45V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSN20Q-7
Diodes Incorporated

BSN20Q-7

جزء الأسهم: 146657

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 500mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.8 Ohm @ 220mA, 10V,

قائمة الرغبات
BS170P
Diodes Incorporated

BS170P

جزء الأسهم: 82285

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 270mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS84TC
Diodes Incorporated

BSS84TC

جزء الأسهم: 9817

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 130mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
BSS138TC
Diodes Incorporated

BSS138TC

جزء الأسهم: 9851

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS123TC
Diodes Incorporated

BSS123TC

جزء الأسهم: 9842

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 170mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

قائمة الرغبات
BSS123ATC
Diodes Incorporated

BSS123ATC

جزء الأسهم: 9832

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 170mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

قائمة الرغبات
BS250PSTZ
Diodes Incorporated

BS250PSTZ

جزء الأسهم: 9799

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 45V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 230mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

قائمة الرغبات
BS250PSTOB
Diodes Incorporated

BS250PSTOB

جزء الأسهم: 9856

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 45V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 230mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

قائمة الرغبات
BS170PSTOA
Diodes Incorporated

BS170PSTOA

جزء الأسهم: 9792

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 270mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

قائمة الرغبات