نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.5ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 32, عدد البوابات: 1000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 2.3V ~ 2.7V, عدد عناصر / كتل المنطق: 2, عدد الخلايا الكبيرة: 32,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.8ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 4, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 3.0ns, توريد الجهد - داخلي: 1.65V ~ 1.95V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 1.65V ~ 1.95V, عدد عناصر / كتل المنطق: 2, عدد الخلايا الكبيرة: 32,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 32, عدد البوابات: 1000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد عناصر / كتل المنطق: 48, عدد الخلايا الكبيرة: 192, عدد البوابات: 8000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 1.65V ~ 1.95V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 512,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 12000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 3.0ns, توريد الجهد - داخلي: 2.3V ~ 2.7V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 4, عدد الخلايا الكبيرة: 128, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 2, عدد الخلايا الكبيرة: 32,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 64, عدد البوابات: 2000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد عناصر / كتل المنطق: 24, عدد الخلايا الكبيرة: 96, عدد البوابات: 4000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 2.3V ~ 2.7V, عدد عناصر / كتل المنطق: 4, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 20.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 128, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 1.65V ~ 1.95V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 1.65V ~ 1.95V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 512, عدد البوابات: 24000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 1024,
نوع قابل للبرمجة: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,
نوع قابل للبرمجة: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 32,
نوع قابل للبرمجة: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 2.5V, 3.3V, عدد الخلايا الكبيرة: 1536, عدد البوابات: 144000,
نوع قابل للبرمجة: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد الخلايا الكبيرة: 192,
نوع قابل للبرمجة: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 512,
نوع قابل للبرمجة: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 2.5V, 3.3V, عدد الخلايا الكبيرة: 1536, عدد البوابات: 144000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد عناصر / كتل المنطق: 6, عدد الخلايا الكبيرة: 108, عدد البوابات: 2400,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.0ns, توريد الجهد - داخلي: 2.7V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 4, عدد الخلايا الكبيرة: 64, عدد البوابات: 1500,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 2.37V ~ 2.62V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 288, عدد البوابات: 6400,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد عناصر / كتل المنطق: 6, عدد الخلايا الكبيرة: 108, عدد البوابات: 2400,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد عناصر / كتل المنطق: 12, عدد الخلايا الكبيرة: 216, عدد البوابات: 4800,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد عناصر / كتل المنطق: 4, عدد الخلايا الكبيرة: 64, عدد البوابات: 1250,
