Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

مدمج - CPLDs (أجهزة منطقية قابلة للبرمجة المعقدة)

M4A3-384/160-65YC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-384/160-65YC

جزء الأسهم: 3441

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 6.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

إلى قائمة الأمنيات
LC4128ZC-42TN100C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4128ZC-42TN100C

جزء الأسهم: 4497

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.2ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

إلى قائمة الأمنيات
GAL22V10D-10QP
Lattice Semiconductor Corporation

GAL22V10D-10QP

جزء الأسهم: 1749

نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 10,

إلى قائمة الأمنيات
ISPLSI 2032A-80LT44
Lattice Semiconductor Corporation

ISPLSI 2032A-80LT44

جزء الأسهم: 7106

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 32, عدد البوابات: 1000,

إلى قائمة الأمنيات
LC4512V-75T176C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4512V-75T176C

جزء الأسهم: 2812

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

إلى قائمة الأمنيات
ISPLSI 2096VE-135LT128I
Lattice Semiconductor Corporation

ISPLSI 2096VE-135LT128I

جزء الأسهم: 7297

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 24, عدد الخلايا الكبيرة: 96, عدد البوابات: 4000,

إلى قائمة الأمنيات
LC4512V-5FT256I
Lattice Semiconductor Corporation

LC4512V-5FT256I

جزء الأسهم: 2743

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

إلى قائمة الأمنيات
LC4064C-5T44C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4064C-5T44C

جزء الأسهم: 1026

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 1.65V ~ 1.95V, عدد عناصر / كتل المنطق: 4, عدد الخلايا الكبيرة: 64,

إلى قائمة الأمنيات
GAL22V10D-15LJN
Lattice Semiconductor Corporation

GAL22V10D-15LJN

جزء الأسهم: 1602

نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 10,

إلى قائمة الأمنيات
GAL16V8D-25LPNI
Lattice Semiconductor Corporation

GAL16V8D-25LPNI

جزء الأسهم: 5644

نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 25.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد الخلايا الكبيرة: 8,

إلى قائمة الأمنيات
LC4512B-75FT256C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4512B-75FT256C

جزء الأسهم: 2650

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 2.3V ~ 2.7V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

إلى قائمة الأمنيات
M5LV-256/160-5YC
Lattice Semiconductor Corporation

M5LV-256/160-5YC

جزء الأسهم: 4992

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

إلى قائمة الأمنيات
ISPLSI 1032E-125LT
Lattice Semiconductor Corporation

ISPLSI 1032E-125LT

جزء الأسهم: 6995

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 128, عدد البوابات: 6000,

إلى قائمة الأمنيات
M5LV-384/120-6YC
Lattice Semiconductor Corporation

M5LV-384/120-6YC

جزء الأسهم: 5266

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 6.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

إلى قائمة الأمنيات
M5LV-256/68-12YI
Lattice Semiconductor Corporation

M5LV-256/68-12YI

جزء الأسهم: 5038

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

إلى قائمة الأمنيات
GAL20RA10B-30LP
Lattice Semiconductor Corporation

GAL20RA10B-30LP

جزء الأسهم: 5689

نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 30.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 10,

إلى قائمة الأمنيات
M5-384/160-10YC
Lattice Semiconductor Corporation

M5-384/160-10YC

جزء الأسهم: 4422

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

إلى قائمة الأمنيات
GAL16LV8C-15LJN
Lattice Semiconductor Corporation

GAL16LV8C-15LJN

جزء الأسهم: 5528

نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 8,

إلى قائمة الأمنيات
M5LV-128/68-12VC
Lattice Semiconductor Corporation

M5LV-128/68-12VC

جزء الأسهم: 4730

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

إلى قائمة الأمنيات
ISPLSI 2128A-80LQ160
Lattice Semiconductor Corporation

ISPLSI 2128A-80LQ160

جزء الأسهم: 7354

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 128, عدد البوابات: 6000,

إلى قائمة الأمنيات
M5-256/68-12VI/1
Lattice Semiconductor Corporation

M5-256/68-12VI/1

جزء الأسهم: 4331

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

إلى قائمة الأمنيات
LC4064ZC-75T48C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4064ZC-75T48C

جزء الأسهم: 1285

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 4, عدد الخلايا الكبيرة: 64,

إلى قائمة الأمنيات
M5LV-512/160-6YC
Lattice Semiconductor Corporation

M5LV-512/160-6YC

جزء الأسهم: 5421

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 6.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

إلى قائمة الأمنيات
LC4032V-75T44E
Lattice Semiconductor Corporation

LC4032V-75T44E

جزء الأسهم: 6507

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 2, عدد الخلايا الكبيرة: 32,

إلى قائمة الأمنيات
GAL20V8B-25QPI
Lattice Semiconductor Corporation

GAL20V8B-25QPI

جزء الأسهم: 6705

نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 25.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد الخلايا الكبيرة: 8,

إلى قائمة الأمنيات
M4A5-64/32-7JC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A5-64/32-7JC

جزء الأسهم: 1739

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,

إلى قائمة الأمنيات
GAL26V12C-20LJI
Lattice Semiconductor Corporation

GAL26V12C-20LJI

جزء الأسهم: 6072

نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 20.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد الخلايا الكبيرة: 12,

إلى قائمة الأمنيات
GAL22V10D-20LJI
Lattice Semiconductor Corporation

GAL22V10D-20LJI

جزء الأسهم: 233

نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 20.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد الخلايا الكبيرة: 10,

إلى قائمة الأمنيات
M5-256/68-20VI/1
Lattice Semiconductor Corporation

M5-256/68-20VI/1

جزء الأسهم: 4339

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 20.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

إلى قائمة الأمنيات
M4A5-128/64-7VC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A5-128/64-7VC

جزء الأسهم: 3653

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

إلى قائمة الأمنيات
M5-256/68-5VC/1
Lattice Semiconductor Corporation

M5-256/68-5VC/1

جزء الأسهم: 4315

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.5ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

إلى قائمة الأمنيات
M5LV-256/68-7YI
Lattice Semiconductor Corporation

M5LV-256/68-7YI

جزء الأسهم: 5068

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

إلى قائمة الأمنيات
LC4256V-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-3T144C

جزء الأسهم: 2014

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 3.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

إلى قائمة الأمنيات
LC4256C-3FT256BC
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256C-3FT256BC

جزء الأسهم: 1908

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 3.0ns, توريد الجهد - داخلي: 1.65V ~ 1.95V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

إلى قائمة الأمنيات
LC4384C-5FT256I
Lattice Semiconductor Corporation

LC4384C-5FT256I

جزء الأسهم: 2420

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 1.65V ~ 1.95V, عدد عناصر / كتل المنطق: 24, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

إلى قائمة الأمنيات
M5-512/160-15YC
Lattice Semiconductor Corporation

M5-512/160-15YC

جزء الأسهم: 4577

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

إلى قائمة الأمنيات