نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 6.7ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128, عدد البوابات: 3000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 6.7ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.7ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 9.1ns, توريد الجهد - داخلي: 2.7V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 9.1ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 6.7ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 6000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 2.375V ~ 2.625V, عدد عناصر / كتل المنطق: 2, عدد الخلايا الكبيرة: 32, عدد البوابات: 600,
نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد عناصر / كتل المنطق: 4, عدد الخلايا الكبيرة: 64, عدد البوابات: 1250,
نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد عناصر / كتل المنطق: 2, عدد الخلايا الكبيرة: 32, عدد البوابات: 600,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد عناصر / كتل المنطق: 10, عدد الخلايا الكبيرة: 160, عدد البوابات: 3200,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128, عدد البوابات: 2500,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.4ns, توريد الجهد - داخلي: 2.5V, 3.3V, عدد عناصر / كتل المنطق: 570, عدد الخلايا الكبيرة: 440,
نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 5000,
نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد عناصر / كتل المنطق: 4, عدد الخلايا الكبيرة: 64, عدد البوابات: 1250,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 512, عدد البوابات: 10000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 512, عدد البوابات: 10000,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 4, عدد الخلايا الكبيرة: 64, عدد البوابات: 1250,
نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 3.5ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد عناصر / كتل المنطق: 4, عدد الخلايا الكبيرة: 64, عدد البوابات: 1250,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 3.5ns, توريد الجهد - داخلي: 2.375V ~ 2.625V, عدد عناصر / كتل المنطق: 4, عدد الخلايا الكبيرة: 64, عدد البوابات: 1250,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 3.5ns, توريد الجهد - داخلي: 2.375V ~ 2.625V, عدد عناصر / كتل المنطق: 2, عدد الخلايا الكبيرة: 32, عدد البوابات: 600,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 512, عدد البوابات: 10000,
نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 20.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد عناصر / كتل المنطق: 6, عدد الخلايا الكبيرة: 96, عدد البوابات: 1800,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128, عدد البوابات: 2500,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128, عدد البوابات: 2500,
نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 5000,
نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 20.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128, عدد البوابات: 2500,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 2.375V ~ 2.625V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 5000,
