PMIC - بوابات السائقين

IR2110-2PBF

جزء الأسهم: 2472

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.3V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 9.5V,

إلى قائمة الأمنيات

IR2132

جزء الأسهم: 112

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

إلى قائمة الأمنيات

IRS2334STRPBF

جزء الأسهم: 24478

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

إلى قائمة الأمنيات

IR2132JTRPBF

جزء الأسهم: 11940

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

إلى قائمة الأمنيات

IR2233

جزء الأسهم: 274

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

IR2133JTR

جزء الأسهم: 599

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

إلى قائمة الأمنيات

IR21271S

جزء الأسهم: 924

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

إلى قائمة الأمنيات

IR2214SS

جزء الأسهم: 1937

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 11.5V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

IR2152STR

جزء الأسهم: 596

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V,

إلى قائمة الأمنيات

IR2133JTRPBF

جزء الأسهم: 14411

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

إلى قائمة الأمنيات

UC3710DWG4

جزء الأسهم: 8399

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.7V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

UC2709NG4

جزء الأسهم: 10772

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 40V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

إلى قائمة الأمنيات

LM2724LD

جزء الأسهم: 1398

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.3V ~ 6.8V,

إلى قائمة الأمنيات

LM2724ALD/NOPB

جزء الأسهم: 1588

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.3V ~ 6.8V,

إلى قائمة الأمنيات

TPS2838PWP

جزء الأسهم: 20327

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

TPS51604QDSGTQ1

جزء الأسهم: 21226

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.6V, 2.65V,

إلى قائمة الأمنيات

UC2705NG4

جزء الأسهم: 9404

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 40V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

إلى قائمة الأمنيات

UC3706DW

جزء الأسهم: 10149

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 40V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

إلى قائمة الأمنيات

Linear Technology/Analog Devices

UCC27321DGN

جزء الأسهم: 21926

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

LTC7003HMSE#TRPBF

جزء الأسهم: 20080

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 60V,

إلى قائمة الأمنيات

Linear Technology/Analog Devices

LT8672HMS#TRPBF

جزء الأسهم: 109

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3V ~ 42V,

إلى قائمة الأمنيات

TC4426AMJA

جزء الأسهم: 806

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

MIC4469BN

جزء الأسهم: 2323

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

MIC4468ZN

جزء الأسهم: 34584

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات