المستشعرات الضوئية - المقاطع الضوئية - نوع الفتحة

WFM80-60P311

جزء الأسهم: 40

الاستشعار عن بعد: 3.150" (80mm), طريقة الاستشعار: Optical Flag, تكوين الإخراج: PNP,

WFM80-60N311

جزء الأسهم: 106

الاستشعار عن بعد: 3.150" (80mm), طريقة الاستشعار: Optical Flag, تكوين الإخراج: NPN,

WFM50-60N311

جزء الأسهم: 39

الاستشعار عن بعد: 1.969" (50mm), طريقة الاستشعار: Optical Flag, تكوين الإخراج: NPN,

WF15-95B410

جزء الأسهم: 93

الاستشعار عن بعد: 0.591" (15mm), طريقة الاستشعار: Optical Flag, تكوين الإخراج: PNP/NPN,

OPB802W55

جزء الأسهم: 3994

الاستشعار عن بعد: 0.375" (9.53mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB350L250

جزء الأسهم: 15292

الاستشعار عن بعد: 0.250" (6.35mm), طريقة الاستشعار: Liquid, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB375N51

جزء الأسهم: 39360

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB856

جزء الأسهم: 6004

الاستشعار عن بعد: 12" (304.8mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 40mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB866L55

جزء الأسهم: 32902

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB854B1

جزء الأسهم: 32490

الاستشعار عن بعد: 0.100" (2.54mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB890L51

جزء الأسهم: 9615

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB846L55

جزء الأسهم: 6063

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB892P55

جزء الأسهم: 6001

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB871L55TXV

جزء الأسهم: 287

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB375T51

جزء الأسهم: 5941

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB890T11

جزء الأسهم: 6011

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB872P55TXV

جزء الأسهم: 302

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB875L51

جزء الأسهم: 6094

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB380P51

جزء الأسهم: 6068

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB880P51

جزء الأسهم: 9678

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB881T55

جزء الأسهم: 6112

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

QVB11234

جزء الأسهم: 6056

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

CNY28

جزء الأسهم: 5973

الاستشعار عن بعد: 0.118" (3mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

HOA1889-011

جزء الأسهم: 10978

الاستشعار عن بعد: 0.070" (1.78mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

HOA0890-P51

جزء الأسهم: 13944

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Transistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

HOA0865-P55

جزء الأسهم: 25684

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Transistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

PM-Y44P-C3

جزء الأسهم: 2754

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

PM-Y44

جزء الأسهم: 3437

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

PM-L64P

جزء الأسهم: 5963

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

PM-F24

جزء الأسهم: 6000

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

PM-R44

جزء الأسهم: 9622

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

GP1S95

جزء الأسهم: 5977

الاستشعار عن بعد: 0.063" (1.6mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 35V,

EE-SJ3-G

جزء الأسهم: 11331

الاستشعار عن بعد: 0.134" (3.4mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

EE-SX914P-R 1M

جزء الأسهم: 6076

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: PNP - Open Collector,

EE-SX912P-R 3M

جزء الأسهم: 5974

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: PNP - Open Collector,

PES50D94C

جزء الأسهم: 488