المستشعرات الضوئية - المقاطع الضوئية - نوع الفتحة

RPI-0129

RPI-0129

جزء الأسهم: 5950

الاستشعار عن بعد: 0.047" (1.2mm), تكوين الإخراج: Transistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

EE-SX913P-R 1M

EE-SX913P-R 1M

جزء الأسهم: 6102

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: PNP - Open Collector,

EE-SX911-R 3M

EE-SX911-R 3M

جزء الأسهم: 5954

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: NPN - Open Collector,

LTH-306-49

LTH-306-49

جزء الأسهم: 9632

OPB871P55TXV

OPB871P55TXV

جزء الأسهم: 284

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB920CZ

OPB920CZ

جزء الأسهم: 6045

تكوين الإخراج: Totem Pole, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 20mA,

OPB822SD

OPB822SD

جزء الأسهم: 17808

الاستشعار عن بعد: 0.090" (2.29mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: 2 NPN, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB891P51

OPB891P51

جزء الأسهم: 9636

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB202

OPB202

جزء الأسهم: 5993

الاستشعار عن بعد: 0.110" (2.79mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB380N55

OPB380N55

جزء الأسهم: 6032

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB872N55TXV

OPB872N55TXV

جزء الأسهم: 348

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB891N55Z

OPB891N55Z

جزء الأسهم: 9648

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB870T51TXV

OPB870T51TXV

جزء الأسهم: 342

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB847TXV

OPB847TXV

جزء الأسهم: 356

الاستشعار عن بعد: 0.100" (2.54mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

OPB892N55Z

OPB892N55Z

جزء الأسهم: 6062

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

HOA0865-N55

HOA0865-N55

جزء الأسهم: 23542

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Transistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

HOA0890-L51

HOA0890-L51

جزء الأسهم: 9241

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Transistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

HOA0870-T55

HOA0870-T55

جزء الأسهم: 6073

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Transistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

HOA0875-T51

HOA0875-T51

جزء الأسهم: 10253

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Transistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

HOA0860-T55

HOA0860-T55

جزء الأسهم: 13693

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Transistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

HOA0880-L55

HOA0880-L55

جزء الأسهم: 9727

الاستشعار عن بعد: 0.125" (3.18mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Transistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

HOA1873-011

HOA1873-011

جزء الأسهم: 18541

الاستشعار عن بعد: 0.100" (2.54mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

CNZ1120

CNZ1120

جزء الأسهم: 6035

الاستشعار عن بعد: 0.394" (10mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V,

GP1S74PJ000F

GP1S74PJ000F

جزء الأسهم: 5965

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 35V,

GP1S52V

GP1S52V

جزء الأسهم: 6012

الاستشعار عن بعد: 0.118" (3mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 35V,

EE-SM3B

EE-SM3B

جزء الأسهم: 6070

الاستشعار عن بعد: 0.118" (3mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Photodarlington, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 15mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 24V,

EE-SH3-DS

EE-SH3-DS

جزء الأسهم: 15812

الاستشعار عن بعد: 0.134" (3.4mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

EE-SX1108-1

EE-SX1108-1

جزء الأسهم: 6071

الاستشعار عن بعد: 0.079" (2mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 25mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V,

PM-T64W

PM-T64W

جزء الأسهم: 3621

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

PM-R64

PM-R64

جزء الأسهم: 3588

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

QVE00033

QVE00033

جزء الأسهم: 9678

الاستشعار عن بعد: 0.079" (2mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 50mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

QVB21314

QVB21314

جزء الأسهم: 6109

SFH 9500-Z

SFH 9500-Z

جزء الأسهم: 6073

الاستشعار عن بعد: 0.205" (5.2mm), طريقة الاستشعار: Transmissive, تكوين الإخراج: Phototransistor, الحالي - DC إلى الأمام (إذا) (الحد الأقصى): 60mA, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V,

WF5T-B4210

WF5T-B4210

جزء الأسهم: 45

الاستشعار عن بعد: 0.197" (5mm), طريقة الاستشعار: Optical Flag, تكوين الإخراج: PNP/NPN,

WF120-95B416

WF120-95B416

جزء الأسهم: 106

الاستشعار عن بعد: 4.724" (120mm), طريقة الاستشعار: Optical Flag, تكوين الإخراج: PNP/NPN,

WF30-40B416

WF30-40B416

جزء الأسهم: 25

الاستشعار عن بعد: 1.181" (30mm), طريقة الاستشعار: Optical Flag, تكوين الإخراج: PNP/NPN,