حجم الذاكرة: 2.25M (64K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 1.125M (32K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 4.5K (64 x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 1mA,
حجم الذاكرة: 2.25K (64 x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 130mA,
حجم الذاكرة: 2.25K (64 x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 130mA,
حجم الذاكرة: 5M (256K x 20)(512K x 10), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 4.5ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 36K (4K x 9), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 22.22MHz, وقت الوصول: 35ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 120mA,
حجم الذاكرة: 4.5K (64 x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 1mA,
حجم الذاكرة: 576K (16K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 4.5M (64K x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 4.5K (512 x 9), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 85mA,
حجم الذاكرة: 288K (16K x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 8ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 50mA,
حجم الذاكرة: 2.25K (256 x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 11ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 20mA,
حجم الذاكرة: 36K (2K x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 45mA,
حجم الذاكرة: 4.5K (512 x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,
حجم الذاكرة: 144K (8K x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 45mA,
حجم الذاكرة: 36K (512 x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 11ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400µA,
حجم الذاكرة: 4.5K (64 x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 130mA,
حجم الذاكرة: 144K (8K x 18)(16K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,
حجم الذاكرة: 1.125M (64K x 18)(128K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,
حجم الذاكرة: 144K (4K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 4.5K (64 x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 130mA,
حجم الذاكرة: 4.5K (256 x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 67MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400µA,
حجم الذاكرة: 1.125K (64 x 18), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 40MHz, وقت الوصول: 18ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400µA,
حجم الذاكرة: 18K (1K x 9 x 2), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 33MHz, وقت الوصول: 25ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400µA,
حجم الذاكرة: 144K (4K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
