حجم الذاكرة: 144K (16K x 9), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 33.3MHz, وقت الوصول: 20ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 120mA,
حجم الذاكرة: 36K (4K x 9), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 22.22MHz, وقت الوصول: 35ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 120mA,
حجم الذاكرة: 36K (4K x 9), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 33.3MHz, وقت الوصول: 20ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 120mA,
حجم الذاكرة: 4.5K (512 x 9), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 28.5MHz, وقت الوصول: 25ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 80mA,
حجم الذاكرة: 2.25K (256 x 9), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 28.5MHz, وقت الوصول: 25ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 80mA,
حجم الذاكرة: 2.25K (256 x 9), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 80mA,
حجم الذاكرة: 36K (2K x 9 x 2), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 40MHz, وقت الوصول: 15ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 150mA,
حجم الذاكرة: 18K (2K x 9), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 28.5MHz, وقت الوصول: 25ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 120mA,
حجم الذاكرة: 9K (512 x 9 x 2), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 40MHz, وقت الوصول: 15ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 100mA,
حجم الذاكرة: 2.25K (256 x 9), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 80mA,
حجم الذاكرة: 18K (2K x 9), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 22.2MHz, وقت الوصول: 35ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 120mA,
حجم الذاكرة: 4.5K (64 x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, وقت الوصول: 12ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 500mA,
حجم الذاكرة: 144K (8K x 18)(16K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,
حجم الذاكرة: 72K (4K x 18)(8K x 9), دور: Asynchronous, Synchronous, معدل البيانات: 66MHz, 150MHz, وقت الوصول: 12ns, 3.8ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 144K (4K x 18 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 100mA,
حجم الذاكرة: 36K (2K x 9 x 2), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 33.3MHz, وقت الوصول: 20ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 150mA,
حجم الذاكرة: 18K (512 x 18 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 40MHz, وقت الوصول: 15ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 230mA,
حجم الذاكرة: 576K (8K x 36 x 2), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 144K (4K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 400mA,
حجم الذاكرة: 288K (32K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 75mA,
