حجم الذاكرة: 4.7M (131K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 4.7M (131K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 4.5M (128K x 36), دور: Asynchronous, Synchronous, معدل البيانات: 66MHz, 150MHz, وقت الوصول: 12ns, 3.8ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 90mA,
حجم الذاكرة: 4.7M (131K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 1.125M (16K x 72), دور: Asynchronous, Synchronous, معدل البيانات: 83MHz, 200MHz, وقت الوصول: 10ns, 3.6ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 130mA,
حجم الذاكرة: 2.25M (32K x 72), دور: Asynchronous, Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, 100MHz, وقت الوصول: 14ns, 4.5ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 130mA,
حجم الذاكرة: 72K (8K x 9), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 33.3MHz, وقت الوصول: 20ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 150mA,
حجم الذاكرة: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 35mA,
حجم الذاكرة: 36K (4K x 9), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 33.3MHz, وقت الوصول: 20ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 150mA,
حجم الذاكرة: 4.7M (131K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), دور: Asynchronous, Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, 100MHz, وقت الوصول: 14ns, 4.5ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 70mA,
حجم الذاكرة: 4.5M (128K x 36), دور: Asynchronous, Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, 100MHz, وقت الوصول: 14ns, 4.5ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 90mA,
حجم الذاكرة: 1.125M (16K x 72), دور: Asynchronous, Synchronous, معدل البيانات: 66MHz, 150MHz, وقت الوصول: 12ns, 3.8ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 130mA,
حجم الذاكرة: 4.5M (256K x 18), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3V ~ 3.6V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 60mA,
حجم الذاكرة: 4.5M (512K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, وقت الوصول: 6.5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 55mA,
حجم الذاكرة: 2.25M (64K x 36), دور: Asynchronous, Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, 225MHz, وقت الوصول: 8ns, 3.4ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 90mA,
حجم الذاكرة: 2.25M (128K x 18)(256K x 9), دور: Asynchronous, Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, 225MHz, وقت الوصول: 8ns, 3.4ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 70mA,
حجم الذاكرة: 2.25M (128K x 18)(256K x 9), دور: Asynchronous, Synchronous, معدل البيانات: 83MHz, 200MHz, وقت الوصول: 10ns, 3.6ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 70mA,
حجم الذاكرة: 2.25M (64K x 36), دور: Asynchronous, Synchronous, معدل البيانات: 83MHz, 200MHz, وقت الوصول: 10ns, 3.6ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 90mA,
حجم الذاكرة: 2.25M (128K x 18)(256K x 9), دور: Asynchronous, Synchronous, معدل البيانات: 83MHz, 200MHz, وقت الوصول: 10ns, 3.6ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 70mA,
حجم الذاكرة: 2.25M (128K x 18)(256K x 9), دور: Asynchronous, Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, 225MHz, وقت الوصول: 8ns, 3.4ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 70mA,
حجم الذاكرة: 2.25M (64K x 36), دور: Asynchronous, Synchronous, معدل البيانات: 100MHz, 225MHz, وقت الوصول: 8ns, 3.4ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 90mA,
حجم الذاكرة: 1.125M (16K x 72), دور: Asynchronous, Synchronous, معدل البيانات: 50MHz, 100MHz, وقت الوصول: 14ns, 4.5ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 130mA,
حجم الذاكرة: 72K (8K x 9), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 33.3MHz, وقت الوصول: 20ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 150mA,
حجم الذاكرة: 4.7M (131K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 4.7M (131K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 30mA,
حجم الذاكرة: 4.7M (131K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 2.25M (64K x 36), دور: Asynchronous, Synchronous, معدل البيانات: 83MHz, 200MHz, وقت الوصول: 10ns, 3.6ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 90mA,
حجم الذاكرة: 2.25M (128K x 18)(256K x 9), دور: Asynchronous, Synchronous, معدل البيانات: 83MHz, 200MHz, وقت الوصول: 10ns, 3.6ns, الجهد - العرض: 2.375V ~ 2.625V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 70mA,
حجم الذاكرة: 36K (4K x 9), دور: Asynchronous, معدل البيانات: 33.3MHz, وقت الوصول: 20ns, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 150mA,
حجم الذاكرة: 4.7M (131K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 133.3MHz, وقت الوصول: 5ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 1.125M (32K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 166MHz, وقت الوصول: 4ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
حجم الذاكرة: 2.25M (64K x 36), دور: Synchronous, معدل البيانات: 66.7MHz, وقت الوصول: 10ns, الجهد - العرض: 3.15V ~ 3.45V, التيار - العرض (الحد الأقصى): 40mA,
