نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 2, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 1.65V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 10µA,
نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 6, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,
نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, سمات: Schmitt Trigger, الجهد - العرض: 4.75V ~ 5.25V,
نوع المنطق: NOR Gate, عدد الدوائر: 6, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,
نوع المنطق: NOR Gate, عدد الدوائر: 2, عدد المدخلات: 5, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,
نوع المنطق: OR Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 4µA,
نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 2V ~ 6V,
نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 6, عدد المدخلات: 6, الجهد - العرض: 1.65V ~ 3.6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 10µA,
نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 6, عدد المدخلات: 6, الجهد - العرض: 3V ~ 18V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 4µA,
نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 6, عدد المدخلات: 6, الجهد - العرض: 2V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,
نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 3, عدد المدخلات: 3, سمات: Schmitt Trigger, الجهد - العرض: 1.65V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 10µA,
نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 1, الجهد - العرض: 1.65V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 10µA,
نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 2, عدد المدخلات: 4, الجهد - العرض: 3V ~ 18V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: NOR Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 3V ~ 18V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: NOR Gate, عدد الدوائر: 2, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 1.65V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: XOR (Exclusive OR), عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 2V ~ 6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 1, الجهد - العرض: 1.65V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 1, سمات: Schmitt Trigger, الجهد - العرض: 1.65V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: OR Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 1.65V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,
نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 3, الجهد - العرض: 1.65V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 3, عدد المدخلات: 3, سمات: Schmitt Trigger, الجهد - العرض: 1.65V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 2, عدد المدخلات: 2, سمات: Schmitt Trigger, الجهد - العرض: 1.65V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: XOR (Exclusive OR), عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: NOR Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 1, الجهد - العرض: 0.9V ~ 3.6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 500nA,
نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 2V ~ 6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 4µA,
نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 3V ~ 15V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 4µA,
نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 9, عدد المدخلات: 9, الجهد - العرض: -4.2V ~ -5.5V,
نوع المنطق: AND Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 2V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: NOR Gate, عدد الدوائر: 2, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 2V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, سمات: Schmitt Trigger, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: OR Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 2V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,
