مدمج - FPGAs (مصفوفة البوابة القابلة للبرمجة الميد

10AX066K1F35I1SG

10AX066K1F35I1SG

جزء الأسهم: 2430

عدد LABs / CLBs: 250540, عدد عناصر / خلايا المنطق: 660000, إجمالي بت RAM: 49610752, رقم I / O: 492, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX066H2F34I1SG

10AX066H2F34I1SG

جزء الأسهم: 2404

عدد LABs / CLBs: 250540, عدد عناصر / خلايا المنطق: 660000, إجمالي بت RAM: 49610752, رقم I / O: 492, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX066H2F34E1SG

10AX066H2F34E1SG

جزء الأسهم: 2435

عدد LABs / CLBs: 250540, عدد عناصر / خلايا المنطق: 660000, إجمالي بت RAM: 49610752, رقم I / O: 492, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX057N2F40I1SG

10AX057N2F40I1SG

جزء الأسهم: 2382

عدد LABs / CLBs: 217080, عدد عناصر / خلايا المنطق: 570000, إجمالي بت RAM: 42082304, رقم I / O: 588, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX066H1F34I1SG

10AX066H1F34I1SG

جزء الأسهم: 4258

عدد LABs / CLBs: 250540, عدد عناصر / خلايا المنطق: 660000, إجمالي بت RAM: 49610752, رقم I / O: 492, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX066H1F34E1SG

10AX066H1F34E1SG

جزء الأسهم: 2368

عدد LABs / CLBs: 250540, عدد عناصر / خلايا المنطق: 660000, إجمالي بت RAM: 49610752, رقم I / O: 492, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX057N2F40E1SG

10AX057N2F40E1SG

جزء الأسهم: 2373

عدد LABs / CLBs: 217080, عدد عناصر / خلايا المنطق: 570000, إجمالي بت RAM: 42082304, رقم I / O: 588, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX057N1F40I1SG

10AX057N1F40I1SG

جزء الأسهم: 4286

عدد LABs / CLBs: 217080, عدد عناصر / خلايا المنطق: 570000, إجمالي بت RAM: 42082304, رقم I / O: 588, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX057K2F40I1SG

10AX057K2F40I1SG

جزء الأسهم: 2356

عدد LABs / CLBs: 217080, عدد عناصر / خلايا المنطق: 570000, إجمالي بت RAM: 42082304, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX057N1F40E1SG

10AX057N1F40E1SG

جزء الأسهم: 2379

عدد LABs / CLBs: 217080, عدد عناصر / خلايا المنطق: 570000, إجمالي بت RAM: 42082304, رقم I / O: 588, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX057K2F40E1SG

10AX057K2F40E1SG

جزء الأسهم: 2355

عدد LABs / CLBs: 217080, عدد عناصر / خلايا المنطق: 570000, إجمالي بت RAM: 42082304, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX057K2F35I1SG

10AX057K2F35I1SG

جزء الأسهم: 2289

عدد LABs / CLBs: 217080, عدد عناصر / خلايا المنطق: 570000, إجمالي بت RAM: 42082304, رقم I / O: 492, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX057K2F35E1SG

10AX057K2F35E1SG

جزء الأسهم: 2287

عدد LABs / CLBs: 217080, عدد عناصر / خلايا المنطق: 570000, إجمالي بت RAM: 42082304, رقم I / O: 492, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX057K1F40I1SG

10AX057K1F40I1SG

جزء الأسهم: 4255

عدد LABs / CLBs: 217080, عدد عناصر / خلايا المنطق: 570000, إجمالي بت RAM: 42082304, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX057K1F40E1SG

10AX057K1F40E1SG

جزء الأسهم: 2317

عدد LABs / CLBs: 217080, عدد عناصر / خلايا المنطق: 570000, إجمالي بت RAM: 42082304, رقم I / O: 696, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX057K1F35I1SG

10AX057K1F35I1SG

جزء الأسهم: 2289

عدد LABs / CLBs: 217080, عدد عناصر / خلايا المنطق: 570000, إجمالي بت RAM: 42082304, رقم I / O: 492, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX057K1F35E1SG

10AX057K1F35E1SG

جزء الأسهم: 2265

عدد LABs / CLBs: 217080, عدد عناصر / خلايا المنطق: 570000, إجمالي بت RAM: 42082304, رقم I / O: 492, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX057H1F34I1SG

10AX057H1F34I1SG

جزء الأسهم: 2273

عدد LABs / CLBs: 217080, عدد عناصر / خلايا المنطق: 570000, إجمالي بت RAM: 42082304, رقم I / O: 492, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX057H2F34E1SG

10AX057H2F34E1SG

جزء الأسهم: 2246

عدد LABs / CLBs: 217080, عدد عناصر / خلايا المنطق: 570000, إجمالي بت RAM: 42082304, رقم I / O: 492, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10M50SCE144C7G

10M50SCE144C7G

جزء الأسهم: 2233

عدد LABs / CLBs: 3125, عدد عناصر / خلايا المنطق: 50000, إجمالي بت RAM: 1677312, رقم I / O: 101, الجهد - العرض: 2.85V ~ 3.465V,

10M40SCE144C7G

10M40SCE144C7G

جزء الأسهم: 2280

عدد LABs / CLBs: 2500, عدد عناصر / خلايا المنطق: 40000, إجمالي بت RAM: 1290240, رقم I / O: 101, الجهد - العرض: 2.85V ~ 3.465V,

10M16SCE144C7G

10M16SCE144C7G

جزء الأسهم: 4238

عدد LABs / CLBs: 1000, عدد عناصر / خلايا المنطق: 16000, إجمالي بت RAM: 562176, رقم I / O: 101, الجهد - العرض: 2.85V ~ 3.465V,

10M08DFV81C8GES

10M08DFV81C8GES

جزء الأسهم: 2186

عدد LABs / CLBs: 500, عدد عناصر / خلايا المنطق: 8000, إجمالي بت RAM: 387072, رقم I / O: 56, الجهد - العرض: 1.15V ~ 1.25V,

10M50DAF672C6GES

10M50DAF672C6GES

جزء الأسهم: 2243

عدد LABs / CLBs: 3125, عدد عناصر / خلايا المنطق: 50000, إجمالي بت RAM: 1677312, رقم I / O: 500, الجهد - العرض: 1.15V ~ 1.25V,

10M50DAF256C6GES

10M50DAF256C6GES

جزء الأسهم: 2502

عدد LABs / CLBs: 3125, عدد عناصر / خلايا المنطق: 50000, إجمالي بت RAM: 1677312, رقم I / O: 178, الجهد - العرض: 1.15V ~ 1.25V,

10M50DAF484C6GES

10M50DAF484C6GES

جزء الأسهم: 2169

عدد LABs / CLBs: 3125, عدد عناصر / خلايا المنطق: 50000, إجمالي بت RAM: 1677312, رقم I / O: 360, الجهد - العرض: 1.15V ~ 1.25V,

10M08DFF484C7G

10M08DFF484C7G

جزء الأسهم: 2202

عدد LABs / CLBs: 500, عدد عناصر / خلايا المنطق: 8000, إجمالي بت RAM: 387072, رقم I / O: 250, الجهد - العرض: 1.15V ~ 1.25V,

10M08DCF256C7G

10M08DCF256C7G

جزء الأسهم: 4224

عدد LABs / CLBs: 500, عدد عناصر / خلايا المنطق: 8000, إجمالي بت RAM: 387072, رقم I / O: 178, الجهد - العرض: 1.15V ~ 1.25V,

10M08DCF484C7G

10M08DCF484C7G

جزء الأسهم: 4261

عدد LABs / CLBs: 500, عدد عناصر / خلايا المنطق: 8000, إجمالي بت RAM: 387072, رقم I / O: 250, الجهد - العرض: 1.15V ~ 1.25V,

10M08DAF484C7G

10M08DAF484C7G

جزء الأسهم: 2102

عدد LABs / CLBs: 500, عدد عناصر / خلايا المنطق: 8000, إجمالي بت RAM: 387072, رقم I / O: 250, الجهد - العرض: 1.15V ~ 1.25V,

10M04SFE144C7G

10M04SFE144C7G

جزء الأسهم: 2080

عدد LABs / CLBs: 250, عدد عناصر / خلايا المنطق: 4000, إجمالي بت RAM: 193536, رقم I / O: 101, الجهد - العرض: 2.85V ~ 3.465V,

10AX115U4F45I3SGE2

10AX115U4F45I3SGE2

جزء الأسهم: 2084

عدد LABs / CLBs: 427200, عدد عناصر / خلايا المنطق: 1150000, إجمالي بت RAM: 68857856, رقم I / O: 480, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX115U3F45I2SGE2

10AX115U3F45I2SGE2

جزء الأسهم: 2068

عدد LABs / CLBs: 427200, عدد عناصر / خلايا المنطق: 1150000, إجمالي بت RAM: 68857856, رقم I / O: 480, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10M04DCF256C7G

10M04DCF256C7G

جزء الأسهم: 2143

عدد LABs / CLBs: 250, عدد عناصر / خلايا المنطق: 4000, إجمالي بت RAM: 193536, رقم I / O: 178, الجهد - العرض: 1.15V ~ 1.25V,

10AX115S4F45I3SGE2

10AX115S4F45I3SGE2

جزء الأسهم: 2099

عدد LABs / CLBs: 427200, عدد عناصر / خلايا المنطق: 1150000, إجمالي بت RAM: 68857856, رقم I / O: 624, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX115U2F45I2SGE2

10AX115U2F45I2SGE2

جزء الأسهم: 2127

عدد LABs / CLBs: 427200, عدد عناصر / خلايا المنطق: 1150000, إجمالي بت RAM: 68857856, رقم I / O: 480, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,