| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| ميزة FET | Logic Level Gate |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 60V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 1.39A, 1.28A |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 250 mOhm @ 1.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 3.2nC @ 10V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 166pF @ 40V |
| أقصى القوة | 870mW |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| حزمة جهاز المورد | 8-SOP |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
