| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| بنية | Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode |
| عدد SCRs ، الثنائيات | 3 SCRs, 3 Diodes |
| الجهد - خارج الدولة | 1.2kV |
| الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى) | 120A |
| الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى) | - |
| الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى) | 1.5V |
| الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى) | 100mA |
| التيار - غير مندوب. زيادة 50 ، 60 هرتز (Itsm) | 750A @ 50MHz |
| الحالي - عقد (Ih) (حد أقصى) | 200mA |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Chassis Mount |
| العبوة / العلبة | V2-PAK |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
