| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Obsolete |
|---|---|
| نوع الترانزستور | PNP - Pre-Biased |
| التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) | 500mA |
| الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى) | 50V |
| المقاوم - القاعدة (R1) | 10 kOhms |
| المقاوم - قاعدة الباعث (R2) | 10 kOhms |
| الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce | 60 @ 100mA, 10V |
| Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic | 250mV @ 5mA, 100mA |
| التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى) | 1µA |
| التردد - الانتقال | 200MHz |
| أقصى القوة | 300mW |
| نوع التركيب | Through Hole |
| العبوة / العلبة | 3-SSIP |
| حزمة جهاز المورد | NS-A1 |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
