يكتب | وصف |
حالة الجزء | Not For New Designs |
---|---|
نوع FET | N-Channel |
تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 650V |
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 4A (Tc) |
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 10V |
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 3.37 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 13.46nC @ 10V |
Vgs (ماكس) | ±30V |
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 549pF @ 25V |
ميزة FET | - |
تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 70W (Tc) |
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
نوع التركيب | Through Hole |
حزمة جهاز المورد | ITO-220AB |
العبوة / العلبة | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |