يكتب | وصف |
حالة الجزء | Active |
---|---|
نوع FET | N-Channel |
تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 800V |
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 6.5A (Ta) |
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 10V |
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 950 mOhm @ 3.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 280µA |
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (ماكس) | ±20V |
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 700pF @ 300V |
ميزة FET | - |
تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 110W (Tc) |
درجة حرارة التشغيل | 150°C |
نوع التركيب | Through Hole |
حزمة جهاز المورد | TO-220 |
العبوة / العلبة | TO-220-3 |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |