| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع FET | N and P-Channel |
| ميزة FET | Logic Level Gate |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 200V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 2A (Ta) |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 7 Ohm @ 1A, 10V, 8 Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | - |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 110pF @ 25V, 200pF @ 25V |
| أقصى القوة | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | 8-VDFN Exposed Pad |
| حزمة جهاز المورد | 8-VDFN (6x5) |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
