| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع FET | N and P-Channel |
| ميزة FET | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 20V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 180mA, 100mA |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 3 Ohm @ 50mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | - |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 9.5pF @ 3V |
| أقصى القوة | 200mW |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| حزمة جهاز المورد | US6 |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
