| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع المنطق | NAND Gate |
| عدد الدوائر | 1 |
| عدد المدخلات | 3 |
| سمات | - |
| الجهد - العرض | 1.65V ~ 5.5V |
| الحالي - هادئ (حد أقصى) | 10µA |
| الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض | 32mA, 32mA |
| المستوى المنطقي - منخفض | 0.7V ~ 0.8V |
| المستوى المنطقي - مرتفع | 1.7V ~ 2V |
| ماكس انتشار تأخير @ V ، ماكس CL | 3.6ns @ 5V, 50pF |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 85°C |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| حزمة جهاز المورد | 6-DSBGA, 6-WCSP (1.4x0.9) |
| العبوة / العلبة | 6-XFBGA, DSBGA |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
