| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع المنطق | NAND Gate |
| عدد الدوائر | 4 |
| عدد المدخلات | 2 |
| سمات | - |
| الجهد - العرض | 4.5V ~ 5.5V |
| الحالي - هادئ (حد أقصى) | - |
| الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض | 1mA, 20mA |
| المستوى المنطقي - منخفض | 0.8V |
| المستوى المنطقي - مرتفع | 2V |
| ماكس انتشار تأخير @ V ، ماكس CL | 5ns @ 5V, 50pF |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C ~ 70°C |
| نوع التركيب | Through Hole |
| حزمة جهاز المورد | 14-PDIP |
| العبوة / العلبة | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
