| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع المنطق | NAND Gate |
| عدد الدوائر | 2 |
| عدد المدخلات | 2 |
| سمات | - |
| الجهد - العرض | 0.8V ~ 2.7V |
| الحالي - هادئ (حد أقصى) | 10µA |
| الحالي - إخراج مرتفع ومنخفض | 9mA, 9mA |
| المستوى المنطقي - منخفض | 0V ~ 0.7V |
| المستوى المنطقي - مرتفع | 1.7V |
| ماكس انتشار تأخير @ V ، ماكس CL | 1.7ns @ 2.5V, 30pF |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 85°C |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| حزمة جهاز المورد | 8-DSBGA, 8-WCSP (1.9x0.9) |
| العبوة / العلبة | 8-XFBGA, DSBGA |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
