| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع FET | N and P-Channel |
| ميزة FET | Logic Level Gate |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 20V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 4A (Tc) |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 36 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 11.3nC @ 5V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 632pF @ 10V |
| أقصى القوة | 3.1W |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | 8-SMD, Flat Lead |
| حزمة جهاز المورد | 1206-8 ChipFET™ |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
