يكتب | وصف |
حالة الجزء | Obsolete |
---|---|
نوع FET | N and P-Channel |
ميزة FET | Logic Level Gate |
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 30V |
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 2.9A, 2.1A |
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 85 mOhm @ 2.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | - |
أقصى القوة | 1.1W |
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
نوع التركيب | Surface Mount |
العبوة / العلبة | 8-SMD, Flat Lead |
حزمة جهاز المورد | 1206-8 ChipFET™ |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |