| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع FET | P-Channel |
| تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 12V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 10A (Ta) |
| محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 8.25 mOhm @ 14A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 850µA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 120nC @ 4.5V |
| Vgs (ماكس) | ±8V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | - |
| ميزة FET | - |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 1.5W (Ta) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| حزمة جهاز المورد | 8-SO |
| العبوة / العلبة | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
