SI4448DY-T1-GE3

SI4448DY-T1-GE3

نماذج EDA / CAD:
SI4448DY-T1-GE3 ثنائي الفينيل متعدد الكلور البصمة والرمز
موارد الأسهم:
مصنع فائض الأسهم / الموزع الامتياز
ضمان:
1 سنة ضمان Endezo
وصف:
MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC More info
Datasheet:
SKU: #fb08bd0b-354e-ea5d-a198-b622c311aca9

يشارك:  

سمات المنتج

يكتب وصف
حالة الجزء
نوع FET
تقنية
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs
Vgs (th) (Max) @ Id
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
Vgs (ماكس)
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds
ميزة FET
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
درجة حرارة التشغيل
نوع التركيب
حزمة جهاز المورد
العبوة / العلبة

التصنيفات البيئية والتصدير

وضع بنفايات بنفايات متوافقة مع
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) لا ينطبق
حالة دورة حياة عفا عليها الزمن / نهاية الحياة
فئة الأسهم المخزون المتوفر

ربما يعجبك أيضا