| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Obsolete |
|---|---|
| نوع FET | P-Channel |
| تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 40V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 10A (Ta) |
| محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 112 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 1mA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
| Vgs (ماكس) | ±10V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 650pF @ 20V |
| ميزة FET | - |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 1W (Ta), 15W (Tc) |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Through Hole |
| حزمة جهاز المورد | IPAK/TP |
| العبوة / العلبة | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
