يكتب | وصف |
حالة الجزء | Active |
---|---|
نوع FET | N-Channel |
تقنية | SiCFET (Silicon Carbide) |
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 650V |
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 21A (Tc) |
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 18V |
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 156 mOhm @ 6.7A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 3.33mA |
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 38nC @ 18V |
Vgs (ماكس) | +22V, -4V |
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 460pF @ 500V |
ميزة FET | - |
تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 103W (Tc) |
درجة حرارة التشغيل | 175°C (TJ) |
نوع التركيب | Through Hole |
حزمة جهاز المورد | TO-247N |
العبوة / العلبة | TO-247-3 |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |