يكتب | وصف |
حالة الجزء | Not For New Designs |
---|---|
نوع FET | P-Channel |
تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 30V |
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 1.5A (Ta) |
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 160 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
Vgs (ماكس) | ±20V |
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 230pF @ 10V |
ميزة FET | - |
تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 540mW (Ta) |
درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) |
نوع التركيب | Surface Mount |
حزمة جهاز المورد | TSMT3 |
العبوة / العلبة | SC-96 |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |