| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع FET | P-Channel |
| تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 30V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 2A (Ta) |
| محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 160 mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 3.2nC @ 5V |
| Vgs (ماكس) | ±20V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 230pF @ 10V |
| ميزة FET | - |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 1.25W (Ta) |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| حزمة جهاز المورد | TSMT6 (SC-95) |
| العبوة / العلبة | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
