يكتب | وصف |
حالة الجزء | Active |
---|---|
نوع الترانزستور | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) | 100mA |
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى) | 50V |
المقاوم - القاعدة (R1) | 10 kOhms |
المقاوم - قاعدة الباعث (R2) | - |
الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى) | 100nA (ICBO) |
التردد - الانتقال | 250MHz |
أقصى القوة | 200mW |
نوع التركيب | Surface Mount |
العبوة / العلبة | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
حزمة جهاز المورد | US6 |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |