| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع FET | P-Channel |
| تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 20V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 5.5A (Ta) |
| محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 4.5V |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 25.8 mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 15.2nC @ 4.5V |
| Vgs (ماكس) | ±8V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 1080pF @ 10V |
| ميزة FET | - |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 1W (Tc) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| حزمة جهاز المورد | TUMT6 |
| العبوة / العلبة | 6-SMD, Flat Leads |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
