| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع FET | N-Channel |
| تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 25V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 100A (Tc) |
| محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 1.2 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 60.3nC @ 10V |
| Vgs (ماكس) | ±20V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 4327pF @ 12V |
| ميزة FET | Schottky Diode (Body) |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 172W (Tc) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| حزمة جهاز المورد | LFPAK56, Power-SO8 |
| العبوة / العلبة | SC-100, SOT-669 |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
