يكتب | وصف |
حالة الجزء | Active |
---|---|
نوع الترانزستور | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) | 100mA |
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى) | 50V |
المقاوم - القاعدة (R1) | 2.2 kOhms |
المقاوم - قاعدة الباعث (R2) | 47 kOhms |
الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى) | 100nA |
التردد - الانتقال | 230MHz |
أقصى القوة | 480mW |
نوع التركيب | Surface Mount |
العبوة / العلبة | 6-XFDFN Exposed Pad |
حزمة جهاز المورد | DFN1412-6 |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |