| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Obsolete |
|---|---|
| نوع FET | P-Channel |
| تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 20V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 2.3A (Ta) |
| محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | - |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Vgs (ماكس) | - |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 750pF @ 16V |
| ميزة FET | Schottky Diode (Isolated) |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | - |
| درجة حرارة التشغيل | - |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| حزمة جهاز المورد | 8-SOIC |
| العبوة / العلبة | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
