| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع FET | N-Channel |
| تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 20V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 2A (Ta) |
| محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 110 mOhm @ 1A, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | - |
| Vgs (ماكس) | ±10V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 290pF @ 10V |
| ميزة FET | - |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 500mW (Ta) |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| حزمة جهاز المورد | SMini3-G1-B |
| العبوة / العلبة | SC-70, SOT-323 |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
