| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع الذاكرة | Non-Volatile |
| تنسيق الذاكرة | FLASH, RAM |
| تقنية | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4 |
| حجم الذاكرة | 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4) |
| تردد الساعة | 1866MHz |
| اكتب Cycle Time - Word ، Page | - |
| وقت الوصول | - |
| واجهة الذاكرة | Parallel |
| الجهد - العرض | 1.8V |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 85°C (TA) |
| نوع التركيب | - |
| العبوة / العلبة | - |
| حزمة جهاز المورد | - |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
