| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع الترانزستور | 2 NPN, 2 PNP |
| التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) | 500mA |
| الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى) | 30V |
| Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic | 1.4V @ 30mA, 300mA |
| التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى) | 30nA (ICBO) |
| الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce | 30 @ 300mA, 10V |
| أقصى القوة | 650mW |
| التردد - الانتقال | 200MHz |
| درجة حرارة التشغيل | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Through Hole |
| العبوة / العلبة | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| حزمة جهاز المورد | TO-116 |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
