| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع IGBT | - |
| إعدادات | Half Bridge |
| الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى) | 1200V |
| التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) | 160A |
| أقصى القوة | 1000W |
| Vce (on) (Max) @ Vge، Ic | 1.8V @ 15V, 100A (Typ) |
| التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى) | 1mA |
| سعة الإدخال (Cies) @ Vce | 8.58nF @ 25V |
| إدخال | Standard |
| NTC الثرمستور | No |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Chassis Mount |
| العبوة / العلبة | Module |
| حزمة جهاز المورد | D3 |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
