| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| تكوين مدفوعة | Half-Bridge |
| نوع القناة | Independent |
| عدد السائقين | 2 |
| نوع البوابة | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| الجهد - العرض | 4.5V ~ 13V |
| الجهد المنطقي - VIL ، VIH | 0.3V, 1.2V |
| التيار - ذروة الإخراج (المصدر ، المغسلة) | 2A, 2A |
| نوع الإدخال | Non-Inverting |
| الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (التمهيد) | - |
| وقت الصعود / الهبوط (نموذجي) | 6ns, 6ns |
| درجة حرارة التشغيل | -20°C ~ 125°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | 12-VQFN Exposed Pad |
| حزمة جهاز المورد | 12-QFN (4x4) |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
