| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع FET | N and P-Channel |
| ميزة FET | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 20V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 2A, 1.5A |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 136 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 128pF @ 10V |
| أقصى القوة | 800mW |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | 6-SMD, Flat Leads |
| حزمة جهاز المورد | 6-MCPH |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
