| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع الترانزستور | NPN |
| الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى) | 15V |
| التردد - الانتقال | 1GHz |
| شكل الضوضاء (dB Typ @ f) | 3.3dB @ 836MHz |
| ربح | 11.6dB |
| أقصى القوة | 6.4W |
| الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce | 100 @ 250mA, 3V |
| التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) | 1.2A |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| حزمة جهاز المورد | 8-SOIC-EP |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
