| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع FET | P-Channel |
| تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 50V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 48A (Tc) |
| محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 10V |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 30 mOhm @ 24A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Vgs (ماكس) | ±15V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 3660pF @ 25V |
| ميزة FET | - |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 150W (Tc) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| حزمة جهاز المورد | TO-263 (IXTA) |
| العبوة / العلبة | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
